ATP602 Todos los transistores

 

ATP602 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ATP602
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: ATPAK
 

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Principales características: ATP602

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ATP602

ATP602 Ordering number ENA1543 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP602 Applications Features High-speed switching. 10V drive. Avalanche resistance guarantee. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS

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