ATP602 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ATP602
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 70 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 13.6 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.1 Ohm
Empaquetado / Estuche: ATPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ATP602
ATP602 Datasheet (PDF)
1.1. atp602.pdf 
Size:281K _sanyo
ATP602 Ordering number : ENA1543 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP602 Applications Features High-speed switching. 10V drive. Avalanche resistance guarantee. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 600 V Gate
Otros transistores... ATP213 , ATP214 , ATP216 , ATP218 , ATP301 , ATP302 , ATP404 , ATP405 , J310 , ATP613 , BBS3002 , BFL4001 , BFL4004 , BFL4007 , BFL4026 , BFL4036 , BFL4037 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SPA07N60C2 | SPB07N60C2 | SPP07N60C2 | SI2300A | NTD4809NHG | NTD4809NH | IPU09N03LA | IPS09N03LA | IPF09N03LA | IPD09N03LA | BSC0906NS | 2SK0123 | 2SJ455 | R9522 | R9521 |