ATP602 Todos los transistores

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ATP602 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ATP602

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 70 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.1 Ohm

Empaquetado / Estuche: ATPAK

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ATP602 Datasheet (PDF)

1.1. atp602.pdf Size:281K _sanyo

ATP602
ATP602

ATP602 Ordering number : ENA1543 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP602 Applications Features High-speed switching. 10V drive. Avalanche resistance guarantee. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 600 V Gate

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