ATP602 Todos los transistores

 

ATP602 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ATP602
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: ATPAK
 

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ATP602 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  sanyo
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ATP602

ATP602Ordering number : ENA1543SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP602ApplicationsFeatures High-speed switching. 10V drive. Avalanche resistance guarantee. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS

Otros transistores... ATP213 , ATP214 , ATP216 , ATP218 , ATP301 , ATP302 , ATP404 , ATP405 , IRF530 , ATP613 , BBS3002 , BFL4001 , BFL4004 , BFL4007 , BFL4026 , BFL4036 , BFL4037 .

History: IRF7104PBF | BUK438-500B | APT6013JFLL | WMU080N10HG2 | NCE65TF180F | RUH85100M-C | 22N60

 

 
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