ATP602 - описание и поиск аналогов

 

ATP602. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ATP602

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm

Тип корпуса: ATPAK

Аналог (замена) для ATP602

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATP602 даташит

 ..1. Size:281K  sanyo
 atp602.pdf pdf_icon

ATP602

ATP602 Ordering number ENA1543 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP602 Applications Features High-speed switching. 10V drive. Avalanche resistance guarantee. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS

Другие MOSFET... ATP213 , ATP214 , ATP216 , ATP218 , ATP301 , ATP302 , ATP404 , ATP405 , IRF1010E , ATP613 , BBS3002 , BFL4001 , BFL4004 , BFL4007 , BFL4026 , BFL4036 , BFL4037 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.