ATP613 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ATP613
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 70 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 5.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 13.8 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.55 Ohm
Empaquetado / Estuche: ATPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ATP613
ATP613 Datasheet (PDF)
1.1. atp613.pdf 
Size:392K _sanyo
ATP613 Ordering number : ENA1903 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP613 Applications Features Reverse recovery time trr=60ns(typ.) ON-resistance RDS(on)=1.55 (typ.) ? Input Capacitance Ciss=350pF(typ.) 10V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Condi
Otros transistores... ATP214 , ATP216 , ATP218 , ATP301 , ATP302 , ATP404 , ATP405 , ATP602 , 2N7002 , BBS3002 , BFL4001 , BFL4004 , BFL4007 , BFL4026 , BFL4036 , BFL4037 , BMS4007 .
