ATP613 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ATP613
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 70 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 5.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 13.8 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.55 Ohm
Empaquetado / Estuche: ATPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ATP613
ATP613 Datasheet (PDF)
1.1. atp613.pdf 
Size:392K _sanyo
ATP613 Ordering number : ENA1903 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP613 Applications Features Reverse recovery time trr=60ns(typ.) ON-resistance RDS(on)=1.55 (typ.) ? Input Capacitance Ciss=350pF(typ.) 10V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Condi
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
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