ATP613 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ATP613
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: ATPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ATP613

ATP613 Datasheet (PDF)

..1. Size:392K sanyo
atp613.pdf

ATP613Ordering number : ENA1903SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP613ApplicationsFeatures Reverse recovery time trr=60ns(typ.) ON-resistance RDS(on)=1.55 (typ.) Input Capacitance Ciss=350pF(typ.) 10V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParamet

Otros transistores... ATP214 , ATP216 , ATP218 , ATP301 , ATP302 , ATP404 , ATP405 , ATP602 , IRFB3607 , BBS3002 , BFL4001 , BFL4004 , BFL4007 , BFL4026 , BFL4036 , BFL4037 , BMS4007 .

Liste

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