ATP613 Todos los transistores

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ATP613 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ATP613

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 70 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.55 Ohm

Empaquetado / Estuche: ATPAK

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ATP613 Datasheet (PDF)

1.1. atp613.pdf Size:392K _sanyo

ATP613
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ATP613 Ordering number : ENA1903 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP613 Applications Features Reverse recovery time trr=60ns(typ.) ON-resistance RDS(on)=1.55 (typ.) ? Input Capacitance Ciss=350pF(typ.) 10V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Condi

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