ATP613 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ATP613  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: ATPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для ATP613

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATP613 даташит

 ..1. Size:392K  sanyo
 atp613.pdf pdf_icon

ATP613

ATP613 Ordering number ENA1903 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP613 Applications Features Reverse recovery time trr=60ns(typ.) ON-resistance RDS(on)=1.55 (typ.) Input Capacitance Ciss=350pF(typ.) 10V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Paramet

Другие IGBT... ATP214, ATP216, ATP218, ATP301, ATP302, ATP404, ATP405, ATP602, IRFB3607, BBS3002, BFL4001, BFL4004, BFL4007, BFL4026, BFL4036, BFL4037, BMS4007