Справочник MOSFET. ATP613

 

ATP613 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ATP613
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: ATPAK
 

 Аналог (замена) для ATP613

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATP613 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:392K  sanyo
 atp613.pdf pdf_icon

ATP613

ATP613Ordering number : ENA1903SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP613ApplicationsFeatures Reverse recovery time trr=60ns(typ.) ON-resistance RDS(on)=1.55 (typ.) Input Capacitance Ciss=350pF(typ.) 10V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParamet

Другие MOSFET... ATP214 , ATP216 , ATP218 , ATP301 , ATP302 , ATP404 , ATP405 , ATP602 , AON7506 , BBS3002 , BFL4001 , BFL4004 , BFL4007 , BFL4026 , BFL4036 , BFL4037 , BMS4007 .

History: STK4N25 | IRLU2905 | IRLU220A | IXFH10N100 | VMO1600-02P

 

 
Back to Top

 


 
.