ATP613 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ATP613
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: ATPAK
ATP613 Datasheet (PDF)
atp613.pdf

ATP613Ordering number : ENA1903SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP613ApplicationsFeatures Reverse recovery time trr=60ns(typ.) ON-resistance RDS(on)=1.55 (typ.) Input Capacitance Ciss=350pF(typ.) 10V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParamet
Другие MOSFET... ATP214 , ATP216 , ATP218 , ATP301 , ATP302 , ATP404 , ATP405 , ATP602 , AON7506 , BBS3002 , BFL4001 , BFL4004 , BFL4007 , BFL4026 , BFL4036 , BFL4037 , BMS4007 .
History: TPA65R520D | SSM9974GS
History: TPA65R520D | SSM9974GS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: P80NF70 | MPT65N08S | MPT65N08 | MPT045N08S | MPT045N08P | MPT042N10S | MPT042N10P | MPT037N08S | MPT037N08P | MPT028N10S | MPG55N06P | MPG50N06P | MPG40P10P | MPG30P10P | MPG160N04P | MPS100N06
Popular searches
3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet