BBS3002 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BBS3002
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1000 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
Encapsulados: TO263
Búsqueda de reemplazo de BBS3002 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
BBS3002 datasheet
bbs3002.pdf
BBS3002 Ordering number ENA1357A SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device BBS3002 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=4.4m (typ.) Input capacitance Ciss=13200pF (typ.) 4V drive Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --60
bbs3002.pdf
Ordering number ENA1357C BBS3002 P-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 60V, 100A, 5.8m , TO-263-2L/TO-263 Features TO-263 ON-resistance RDS(on)1=4.4m (typ.) 4V drive Input capacitance Ciss=13200pF (typ.) Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain to Source Voltage VDSS --60 V Gate to Source
Otros transistores... ATP216 , ATP218 , ATP301 , ATP302 , ATP404 , ATP405 , ATP602 , ATP613 , AON6380 , BFL4001 , BFL4004 , BFL4007 , BFL4026 , BFL4036 , BFL4037 , BMS4007 , BS107A .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
Popular searches
pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130
