Справочник MOSFET. BBS3002

 

BBS3002 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BBS3002
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 280 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 1000 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для BBS3002

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BBS3002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:342K  sanyo
 bbs3002.pdf pdf_icon

BBS3002

BBS3002Ordering number : ENA1357ASANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceBBS3002ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=4.4m (typ.) Input capacitance Ciss=13200pF (typ.) 4V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --60

 ..2. Size:272K  onsemi
 bbs3002.pdf pdf_icon

BBS3002

Ordering number : ENA1357CBBS3002P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 60V, 100A, 5.8m , TO-263-2L/TO-263FeaturesTO-263 ON-resistance RDS(on)1=4.4m (typ.) 4V drive Input capacitance Ciss=13200pF (typ.)SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS --60 VGate to Source

Другие MOSFET... ATP216 , ATP218 , ATP301 , ATP302 , ATP404 , ATP405 , ATP602 , ATP613 , IRLZ44N , BFL4001 , BFL4004 , BFL4007 , BFL4026 , BFL4036 , BFL4037 , BMS4007 , BS107A .

History: BMS4007

 

 
Back to Top

 


 
.