EC3A03B Todos los transistores

 

EC3A03B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EC3A03B
   Código: JV
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.001 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1.5 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 20000 Ohm
   Paquete / Cubierta: ECSP1006-3
 

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EC3A03B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:33K  sanyo
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EC3A03B

Ordering number : ENN7295AEC3A03BN-Channel Silicon Junction FETEC3A03BImpedance Converter,Infrared Sensor ApplicationsPreliminaryFeatures Package Dimensions Small IGSS. unit : mm Small Ciss. 2208 Ultraminiature package facilitates miniaturization in[EC3A03B]end products.0.350.20.15 0.150.052130.050.5(Bottom View)1 : Source2 : Drain3 : G

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EC3A03B

Ordering number : ENN6612EC3A01BN-Channel Silicon Junction FETEC3A01BCapacitor Microphone ApplicationsFeaturesPackage Dimensions Ultrasmall (1006 size), thin (0.5mm) leadless package.unit : mm Especially suited for use in audio, telephone capacitor2188microphones.[EC3A01B] Excellent voltage characteristics.0.35 Excellent transient characteristics.0.2

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EC3A03B

Ordering number : ENA0509B EC3A04BSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Junction Silicon FETLow-Frequency General-Purpose Amplifier,EC3A04BImpedance Converter ApplicationsApplicatins Low-frequency general-purpose amplifier, impedance conversion, infrared sensor applications.Features Small IGSS. Small Ciss. Ultraminiature package facilitates miniaturization

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