Справочник MOSFET. EC3A03B

 

EC3A03B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EC3A03B
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.001 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 20000 Ohm
   Тип корпуса: ECSP1006-3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

EC3A03B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:33K  sanyo
 ec3a03b.pdf pdf_icon

EC3A03B

Ordering number : ENN7295AEC3A03BN-Channel Silicon Junction FETEC3A03BImpedance Converter,Infrared Sensor ApplicationsPreliminaryFeatures Package Dimensions Small IGSS. unit : mm Small Ciss. 2208 Ultraminiature package facilitates miniaturization in[EC3A03B]end products.0.350.20.15 0.150.052130.050.5(Bottom View)1 : Source2 : Drain3 : G

 9.1. Size:30K  sanyo
 ec3a01b.pdf pdf_icon

EC3A03B

Ordering number : ENN6612EC3A01BN-Channel Silicon Junction FETEC3A01BCapacitor Microphone ApplicationsFeaturesPackage Dimensions Ultrasmall (1006 size), thin (0.5mm) leadless package.unit : mm Especially suited for use in audio, telephone capacitor2188microphones.[EC3A01B] Excellent voltage characteristics.0.35 Excellent transient characteristics.0.2

 9.2. Size:82K  sanyo
 ec3a04b.pdf pdf_icon

EC3A03B

Ordering number : ENA0509B EC3A04BSANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Junction Silicon FETLow-Frequency General-Purpose Amplifier,EC3A04BImpedance Converter ApplicationsApplicatins Low-frequency general-purpose amplifier, impedance conversion, infrared sensor applications.Features Small IGSS. Small Ciss. Ultraminiature package facilitates miniaturization

Другие MOSFET... CPH6337 , CPH6341 , CPH6347 , CPH6350 , CPH6442 , CPH6443 , CPH6444 , CPH6445 , EMB04N03H , EC3A04B , EC4401C , ECH8308 , ECH8309 , ECH8310 , ECH8315 , ECH8320 , ECH8410 .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.