ECH8320 Todos los transistores

 

ECH8320 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ECH8320

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm

Encapsulados: ECH8

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ECH8320 datasheet

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ECH8320

ECH8320 Ordering number ENA1429 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8320 Applications Features Low ON-resistance. 1.8V drive. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --20 V Gate-to-Source Voltage VGSS

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ECH8320

Ordering number ENN8247 ECH8302 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8302 Applications Features Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --30 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC) ID --7 A Drain Current (Pulse) IDP PW

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ECH8320

Ordering number ENN8255 ECH8304 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8304 Applications Features Best suited for load switching. Low ON-resistance. 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --12 V Gate-to-Source Voltage VGSS 9 V Drain Current (DC) ID

 9.3. Size:284K  sanyo
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ECH8320

ECH8310 Ordering number ENA1430 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8310 Applications Features 4V drive. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --30 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC)

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