ECH8320 Todos los transistores

 

ECH8320 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ECH8320
   Código: YA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 0.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm
   Paquete / Cubierta: ECH8
 

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ECH8320 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  sanyo
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ECH8320

ECH8320Ordering number : ENA1429SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8320ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 1.8V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --20 VGate-to-Source Voltage VGSS

 9.1. Size:35K  sanyo
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ECH8320

Ordering number : ENN8247ECH8302P-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8302ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 4V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --30 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) ID --7 ADrain Current (Pulse) IDP PW

 9.2. Size:36K  sanyo
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ECH8320

Ordering number : ENN8255ECH8304P-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8304ApplicationsFeatures Best suited for load switching. Low ON-resistance. 1.8V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --12 VGate-to-Source Voltage VGSS 9 VDrain Current (DC) ID

 9.3. Size:284K  sanyo
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ECH8320

ECH8310Ordering number : ENA1430SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8310ApplicationsFeatures 4V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --30 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC)

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History: IPW65R190C6

 

 
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