Справочник MOSFET. ECH8320

 

ECH8320 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ECH8320
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: ECH8
 

 Аналог (замена) для ECH8320

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ECH8320 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  sanyo
ech8320.pdfpdf_icon

ECH8320

ECH8320Ordering number : ENA1429SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8320ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 1.8V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --20 VGate-to-Source Voltage VGSS

 9.1. Size:35K  sanyo
ech8302.pdfpdf_icon

ECH8320

Ordering number : ENN8247ECH8302P-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8302ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 4V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --30 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) ID --7 ADrain Current (Pulse) IDP PW

 9.2. Size:36K  sanyo
ech8304.pdfpdf_icon

ECH8320

Ordering number : ENN8255ECH8304P-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8304ApplicationsFeatures Best suited for load switching. Low ON-resistance. 1.8V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --12 VGate-to-Source Voltage VGSS 9 VDrain Current (DC) ID

 9.3. Size:284K  sanyo
ech8310.pdfpdf_icon

ECH8320

ECH8310Ordering number : ENA1430SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8310ApplicationsFeatures 4V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --30 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC)

Другие MOSFET... CPH6445 , EC3A03B , EC3A04B , EC4401C , ECH8308 , ECH8309 , ECH8310 , ECH8315 , 60N06 , ECH8410 , ECH8419 , ECH8601M , ECH8602M , ECH8649 , ECH8651R , ECH8652 , ECH8653 .

 

 
Back to Top

 


 
.