ECH8410 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ECH8410
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Encapsulados: ECH8
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ECH8410 datasheet
ech8410.pdf
ECH8410 Ordering number ENA1331 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8410 Applications Features Low ON-resistance. 4V drive. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 30 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20
ech8419.pdf
ECH8419 Ordering number ENA1886 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8419 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=13m (typ.) 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 35 V Gate-to-Sourc
ech8411.pdf
Ordering number ENA0073 ECH8411 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8411 Applications Features Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 20 V Gate-to-Source Voltage VGSS 12 V Drain Current (DC) ID 9 A Drain Current (Pulse) IDP
ech8420.pdf
ECH8420 Ordering number EN8993 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET ECH8420 General-Purpose Switching Device Applications Features ON-resistance RDS(on)1=5.2m (typ.) 1.8V drive Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 20 V Gate-to-Source
Otros transistores... EC3A03B , EC3A04B , EC4401C , ECH8308 , ECH8309 , ECH8310 , ECH8315 , ECH8320 , IRF9640 , ECH8419 , ECH8601M , ECH8602M , ECH8649 , ECH8651R , ECH8652 , ECH8653 , ECH8654 .
History: ECH8602M
History: ECH8602M
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Liste
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