Справочник MOSFET. ECH8410

 

ECH8410 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ECH8410
   Маркировка: KQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 31 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: ECH8
 

 Аналог (замена) для ECH8410

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ECH8410 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  sanyo
 ech8410.pdf pdf_icon

ECH8410

ECH8410Ordering number : ENA1331SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8410ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 4V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 30 VGate-to-Source Voltage VGSS 20

 8.1. Size:345K  sanyo
 ech8419.pdf pdf_icon

ECH8410

ECH8419Ordering number : ENA1886SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8419ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=13m (typ.) 4V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 35 VGate-to-Sourc

 8.2. Size:33K  sanyo
 ech8411.pdf pdf_icon

ECH8410

Ordering number : ENA0073 ECH8411N-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8411ApplicationsFeatures Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 20 VGate-to-Source Voltage VGSS 12 VDrain Current (DC) ID 9 ADrain Current (Pulse) IDP

 9.1. Size:391K  1
 ech8420.pdf pdf_icon

ECH8410

ECH8420Ordering number : EN8993SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETECH8420 General-Purpose Switching DeviceApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=5.2m (typ.) 1.8V drive Halogen free complianceSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 20 VGate-to-Source

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.