ECH8410 - описание и поиск аналогов

 

ECH8410. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ECH8410

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: ECH8

Аналог (замена) для ECH8410

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ECH8410 даташит

 ..1. Size:286K  sanyo
 ech8410.pdf pdf_icon

ECH8410

ECH8410 Ordering number ENA1331 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8410 Applications Features Low ON-resistance. 4V drive. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 30 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20

 8.1. Size:345K  sanyo
 ech8419.pdf pdf_icon

ECH8410

ECH8419 Ordering number ENA1886 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8419 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=13m (typ.) 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 35 V Gate-to-Sourc

 8.2. Size:33K  sanyo
 ech8411.pdf pdf_icon

ECH8410

Ordering number ENA0073 ECH8411 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8411 Applications Features Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 20 V Gate-to-Source Voltage VGSS 12 V Drain Current (DC) ID 9 A Drain Current (Pulse) IDP

 9.1. Size:391K  1
 ech8420.pdf pdf_icon

ECH8410

ECH8420 Ordering number EN8993 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET ECH8420 General-Purpose Switching Device Applications Features ON-resistance RDS(on)1=5.2m (typ.) 1.8V drive Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 20 V Gate-to-Source

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... EC3A03B , EC3A04B , EC4401C , ECH8308 , ECH8309 , ECH8310 , ECH8315 , ECH8320 , IRF9640 , ECH8419 , ECH8601M , ECH8602M , ECH8649 , ECH8651R , ECH8652 , ECH8653 , ECH8654 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.