EMH2308 Todos los transistores

 

EMH2308 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EMH2308

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: EMH8

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EMH2308 datasheet

 ..1. Size:486K  sanyo
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EMH2308

EMH2308 Ordering number ENA1445 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device EMH2308 Applications Features The EMH2308 incorporates a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and ultrahigh-speed switching, thereby enabling high-density mounting. 1.8V drive. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Paramete

 9.1. Size:915K  onsemi
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EMH2308

Ordering number EN8759A EMH2314 Power MOSFET http //onsemi.com 12V, 37m , 5A, Dual P-Channel Features ON-resistance RDS(on)1=28m (typ.) Halogen free compliance 1.8V drive Protection Diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --12 V Gate-to-Source Voltage VG

Otros transistores... ECH8664R , ECH8667 , ECH8668 , ECH8673 , EFC4618R , EMH1303 , EMH1307 , EMH1405 , IRF1404 , EMH2407 , EMH2408 , EMH2409 , EMH2412 , EMH2604 , EMH2801 , FW274 , FW282 .

 

 

 


 
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