EMH2308 Todos los transistores

 

EMH2308 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMH2308
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: EMH8
 

 Búsqueda de reemplazo de EMH2308 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

EMH2308 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:486K  sanyo
 emh2308.pdf pdf_icon

EMH2308

EMH2308Ordering number : ENA1445SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceEMH2308ApplicationsFeatures The EMH2308 incorporates a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and ultrahigh-speed switching, thereby enabling high-density mounting. 1.8V drive.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParamete

 9.1. Size:915K  onsemi
 emh2314.pdf pdf_icon

EMH2308

Ordering number : EN8759AEMH2314Power MOSFEThttp://onsemi.com 12V, 37m , 5A, Dual P-ChannelFeatures ON-resistance RDS(on)1=28m (typ.) Halogen free compliance 1.8V drive Protection Diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Value UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --12 VGate-to-Source Voltage VG

Otros transistores... ECH8664R , ECH8667 , ECH8668 , ECH8673 , EFC4618R , EMH1303 , EMH1307 , EMH1405 , IRF1404 , EMH2407 , EMH2408 , EMH2409 , EMH2412 , EMH2604 , EMH2801 , FW274 , FW282 .

 

 
Back to Top

 


 
.