Справочник MOSFET. EMH2308

 

EMH2308 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EMH2308
   Маркировка: MH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: EMH8
 

 Аналог (замена) для EMH2308

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMH2308 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:486K  sanyo
 emh2308.pdf pdf_icon

EMH2308

EMH2308Ordering number : ENA1445SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceEMH2308ApplicationsFeatures The EMH2308 incorporates a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and ultrahigh-speed switching, thereby enabling high-density mounting. 1.8V drive.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParamete

 9.1. Size:915K  onsemi
 emh2314.pdf pdf_icon

EMH2308

Ordering number : EN8759AEMH2314Power MOSFEThttp://onsemi.com 12V, 37m , 5A, Dual P-ChannelFeatures ON-resistance RDS(on)1=28m (typ.) Halogen free compliance 1.8V drive Protection Diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Value UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --12 VGate-to-Source Voltage VG

Другие MOSFET... ECH8664R , ECH8667 , ECH8668 , ECH8673 , EFC4618R , EMH1303 , EMH1307 , EMH1405 , IRF1404 , EMH2407 , EMH2408 , EMH2409 , EMH2412 , EMH2604 , EMH2801 , FW274 , FW282 .

 

 
Back to Top

 


 
.