EMH2604 Todos los transistores

 

EMH2604 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EMH2604

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: EMH8

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EMH2604 datasheet

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EMH2604

EMH2604 Ordering number EN9006A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device EMH2604 Applications Features Nch + Pch MOSFET ON-resistance Nch RDS(on)1=34m (typ.) Pch RDS(on)1=65m (typ.) 1.8V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symb

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