Справочник MOSFET. EMH2604

 

EMH2604 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: EMH2604
   Маркировка: FD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: EMH8

 Аналог (замена) для EMH2604

 

 

EMH2604 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:612K  sanyo
 emh2604.pdf

EMH2604 EMH2604

EMH2604Ordering number : EN9006ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel and P-Channel Silicon MOSFETsGeneral-Purpose Switching DeviceEMH2604ApplicationsFeatures Nch + Pch MOSFET ON-resistance Nch : RDS(on)1=34m (typ.) Pch : RDS(on)1=65m (typ.) 1.8V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symb

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top