Справочник MOSFET. EMH2604

 

EMH2604 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EMH2604
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: EMH8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

EMH2604 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:612K  sanyo
 emh2604.pdf pdf_icon

EMH2604

EMH2604Ordering number : EN9006ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel and P-Channel Silicon MOSFETsGeneral-Purpose Switching DeviceEMH2604ApplicationsFeatures Nch + Pch MOSFET ON-resistance Nch : RDS(on)1=34m (typ.) Pch : RDS(on)1=65m (typ.) 1.8V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symb

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.