EMH2801 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EMH2801

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.065 Ohm

Empaquetado / Estuche: EMH8

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EMH2801 Datasheet (PDF)

1.1. emh2801.pdf Size:574K _sanyo

EMH2801 Ordering number : ENA1821A SANYO Semiconductors DATA SHEET MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode EMH2801 General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package facilitating high-density mounting • [MOSFET] Low ON-resistance • • 1.8V dr

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Liste

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