EMH2801 Todos los transistores

 

EMH2801 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMH2801
   Código: QA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 0.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: EMH8
 

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EMH2801 Datasheet (PDF)

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EMH2801

EMH2801Ordering number : ENA1821ASANYO SemiconductorsDATA SHEETMOSFET : P-Channel Silicon MOSFETSBD : Schottky Barrier DiodeEMH2801General-Purpose Switching DeviceApplicationsFeatures Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package facilitating high-density mounting [MOSFET] Low ON-resistance 1.8V dr

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