EMH2801 Todos los transistores

 

EMH2801 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMH2801
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: EMH8
 

 Búsqueda de reemplazo de EMH2801 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

EMH2801 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:574K  sanyo
 emh2801.pdf pdf_icon

EMH2801

EMH2801Ordering number : ENA1821ASANYO SemiconductorsDATA SHEETMOSFET : P-Channel Silicon MOSFETSBD : Schottky Barrier DiodeEMH2801General-Purpose Switching DeviceApplicationsFeatures Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package facilitating high-density mounting [MOSFET] Low ON-resistance 1.8V dr

Otros transistores... EMH1307 , EMH1405 , EMH2308 , EMH2407 , EMH2408 , EMH2409 , EMH2412 , EMH2604 , AON6414A , FW274 , FW282 , FW707 , FW811 , FW812 , FW813 , FW906 , FW907 .

History: P0903BDG | WMK15N65F2

 

 
Back to Top

 


 
.