EMH2801 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMH2801
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Paquete / Cubierta: EMH8
Búsqueda de reemplazo de EMH2801 MOSFET
EMH2801 Datasheet (PDF)
emh2801.pdf

EMH2801Ordering number : ENA1821ASANYO SemiconductorsDATA SHEETMOSFET : P-Channel Silicon MOSFETSBD : Schottky Barrier DiodeEMH2801General-Purpose Switching DeviceApplicationsFeatures Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package facilitating high-density mounting [MOSFET] Low ON-resistance 1.8V dr
Otros transistores... EMH1307 , EMH1405 , EMH2308 , EMH2407 , EMH2408 , EMH2409 , EMH2412 , EMH2604 , AON6414A , FW274 , FW282 , FW707 , FW811 , FW812 , FW813 , FW906 , FW907 .



Liste
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