EMH2801 Todos los transistores

 

EMH2801 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMH2801
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: EMH8
     - Selección de transistores por parámetros

 

EMH2801 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:574K  sanyo
emh2801.pdf pdf_icon

EMH2801

EMH2801Ordering number : ENA1821ASANYO SemiconductorsDATA SHEETMOSFET : P-Channel Silicon MOSFETSBD : Schottky Barrier DiodeEMH2801General-Purpose Switching DeviceApplicationsFeatures Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package facilitating high-density mounting [MOSFET] Low ON-resistance 1.8V dr

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: NCE0250D | WSF20P03 | QS8M51 | IPI80CN10NG

 

 
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