EMH2801 - описание и поиск аналогов

 

EMH2801. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EMH2801

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: EMH8

Аналог (замена) для EMH2801

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMH2801 даташит

 ..1. Size:574K  sanyo
 emh2801.pdf pdf_icon

EMH2801

EMH2801 Ordering number ENA1821A SANYO Semiconductors DATA SHEET MOSFET P-Channel Silicon MOSFET SBD Schottky Barrier Diode EMH2801 General-Purpose Switching Device Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package facilitating high-density mounting [MOSFET] Low ON-resistance 1.8V dr

Другие MOSFET... EMH1307 , EMH1405 , EMH2308 , EMH2407 , EMH2408 , EMH2409 , EMH2412 , EMH2604 , IRFB4227 , FW274 , FW282 , FW707 , FW811 , FW812 , FW813 , FW906 , FW907 .

History: SL7N65F

 

 

 


 
↑ Back to Top
.