Справочник MOSFET. EMH2801

 

EMH2801 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: EMH2801
   Маркировка: QA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: EMH8

 Аналог (замена) для EMH2801

 

 

EMH2801 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:574K  sanyo
 emh2801.pdf

EMH2801 EMH2801

EMH2801Ordering number : ENA1821ASANYO SemiconductorsDATA SHEETMOSFET : P-Channel Silicon MOSFETSBD : Schottky Barrier DiodeEMH2801General-Purpose Switching DeviceApplicationsFeatures Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package facilitating high-density mounting [MOSFET] Low ON-resistance 1.8V dr

Другие MOSFET... EMH1307 , EMH1405 , EMH2308 , EMH2407 , EMH2408 , EMH2409 , EMH2412 , EMH2604 , IRFB4110 , FW274 , FW282 , FW707 , FW811 , FW812 , FW813 , FW906 , FW907 .

 

 
Back to Top