Справочник MOSFET. EMH2801

 

EMH2801 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EMH2801
   Маркировка: QA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: EMH8
 

 Аналог (замена) для EMH2801

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMH2801 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:574K  sanyo
 emh2801.pdf pdf_icon

EMH2801

EMH2801Ordering number : ENA1821ASANYO SemiconductorsDATA SHEETMOSFET : P-Channel Silicon MOSFETSBD : Schottky Barrier DiodeEMH2801General-Purpose Switching DeviceApplicationsFeatures Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package facilitating high-density mounting [MOSFET] Low ON-resistance 1.8V dr

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.