FW811 Todos los transistores

 

FW811 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FW811

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 35 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: SOP8

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FW811 datasheet

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FW811

FW811 Ordering number ENA1570 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device FW811 Applications Features 4V drive. Composite type, facilitating high-density mounting. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 35 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20

Otros transistores... EMH2408 , EMH2409 , EMH2412 , EMH2604 , EMH2801 , FW274 , FW282 , FW707 , IRFB4115 , FW812 , FW813 , FW906 , FW907 , J310 , MCH3374 , MCH3377 , MCH3383 .

 

 

 


 
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