FW811 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FW811
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FW811

FW811 Datasheet (PDF)

..1. Size:292K sanyo
fw811.pdf

FW811Ordering number : ENA1570SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceFW811ApplicationsFeatures 4V drive. Composite type, facilitating high-density mounting.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 35 VGate-to-Source Voltage VGSS 20

Otros transistores... EMH2408 , EMH2409 , EMH2412 , EMH2604 , EMH2801 , FW274 , FW282 , FW707 , IRF630 , FW812 , FW813 , FW906 , FW907 , J310 , MCH3374 , MCH3377 , MCH3383 .

Liste

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