Справочник MOSFET. FW811

 

FW811 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FW811
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FW811 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  sanyo
fw811.pdfpdf_icon

FW811

FW811Ordering number : ENA1570SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceFW811ApplicationsFeatures 4V drive. Composite type, facilitating high-density mounting.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 35 VGate-to-Source Voltage VGSS 20

Другие MOSFET... EMH2408 , EMH2409 , EMH2412 , EMH2604 , EMH2801 , FW274 , FW282 , FW707 , IRF9540 , FW812 , FW813 , FW906 , FW907 , J310 , MCH3374 , MCH3377 , MCH3383 .

History: TK3A60DA | BSS214NW | APL602J | HAF1002

 

 
Back to Top

 


 
.