FW811 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FW811
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: SOP8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FW811 Datasheet (PDF)
fw811.pdf

FW811Ordering number : ENA1570SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceFW811ApplicationsFeatures 4V drive. Composite type, facilitating high-density mounting.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 35 VGate-to-Source Voltage VGSS 20
Другие MOSFET... EMH2408 , EMH2409 , EMH2412 , EMH2604 , EMH2801 , FW274 , FW282 , FW707 , IRF9540 , FW812 , FW813 , FW906 , FW907 , J310 , MCH3374 , MCH3377 , MCH3383 .
History: TK3A60DA | BSS214NW | APL602J | HAF1002
History: TK3A60DA | BSS214NW | APL602J | HAF1002



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
k3563 transistor | 2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet | svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet