Справочник MOSFET. FW811

 

FW811 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FW811
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для FW811

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FW811 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  sanyo
 fw811.pdf pdf_icon

FW811

FW811Ordering number : ENA1570SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceFW811ApplicationsFeatures 4V drive. Composite type, facilitating high-density mounting.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 35 VGate-to-Source Voltage VGSS 20

Другие MOSFET... EMH2408 , EMH2409 , EMH2412 , EMH2604 , EMH2801 , FW274 , FW282 , FW707 , IRFP250N , FW812 , FW813 , FW906 , FW907 , J310 , MCH3374 , MCH3377 , MCH3383 .

History: FDPF12N50NZ

 

 
Back to Top

 


 
.