FW812 Todos los transistores

 

FW812 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FW812
   Código: W812
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 46.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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FW812 Datasheet (PDF)

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FW812

FW812Ordering number : ENA1806SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceFW812ApplicationsFeatures Low ON-resistance 4V drive Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mountingSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrai

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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