FW812 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FW812  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 35 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 46.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: SOP8

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FW812 datasheet

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FW812

FW812 Ordering number ENA1806 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device FW812 Applications Features Low ON-resistance 4V drive Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drai

Otros transistores... EMH2409, EMH2412, EMH2604, EMH2801, FW274, FW282, FW707, FW811, 2N7000, FW813, FW906, FW907, J310, MCH3374, MCH3377, MCH3383, MCH3475