FW812 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FW812 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 35 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 46.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
Encapsulados: SOP8
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Búsqueda de reemplazo de FW812 MOSFET
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FW812 datasheet
fw812.pdf
FW812 Ordering number ENA1806 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device FW812 Applications Features Low ON-resistance 4V drive Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drai
Otros transistores... EMH2409, EMH2412, EMH2604, EMH2801, FW274, FW282, FW707, FW811, 2N7000, FW813, FW906, FW907, J310, MCH3374, MCH3377, MCH3383, MCH3475
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MSH100N045SA | MSD60P16 | MSD40P45 | MSB100N023 | MS60P03 | MS40P05AU | MS40P05 | MS40N05 | MS34P07 | MS34P01 | MS23P03 | MS23N06A | BPMS04N003M | BPM0405CG | BPM0306CG | BP0405SCG
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