FW812 - описание и поиск аналогов

 

FW812. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FW812

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для FW812

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FW812 даташит

 ..1. Size:326K  1
 fw812.pdf pdf_icon

FW812

FW812 Ordering number ENA1806 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device FW812 Applications Features Low ON-resistance 4V drive Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drai

Другие MOSFET... EMH2409 , EMH2412 , EMH2604 , EMH2801 , FW274 , FW282 , FW707 , FW811 , 2N7000 , FW813 , FW906 , FW907 , J310 , MCH3374 , MCH3377 , MCH3383 , MCH3475 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.