FW813 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FW813  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.049 Ohm

Encapsulados: SOP8

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FW813 datasheet

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FW813

FW813 Ordering number ENA1884 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device FW813 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=39m (typ.) 4V drive Nch + Nch MOSFET Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 60 V Gate-to-Source Voltage V

Otros transistores... EMH2412, EMH2604, EMH2801, FW274, FW282, FW707, FW811, FW812, P55NF06, FW906, FW907, J310, MCH3374, MCH3377, MCH3383, MCH3475, MCH3477