Справочник MOSFET. FW813

 

FW813 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FW813
   Маркировка: W813
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для FW813

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FW813 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  sanyo
 fw813.pdf pdf_icon

FW813

FW813Ordering number : ENA1884SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceFW813ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=39m (typ.) 4V drive Nch + Nch MOSFETSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 60 VGate-to-Source Voltage V

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 2SK3499

 

 
Back to Top

 


 
.