FW813 - аналоги и даташиты транзистора

 

FW813 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FW813
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для FW813

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FW813 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  sanyo
 fw813.pdf pdf_icon

FW813

FW813Ordering number : ENA1884SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceFW813ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=39m (typ.) 4V drive Nch + Nch MOSFETSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 60 VGate-to-Source Voltage V

Другие MOSFET... EMH2412 , EMH2604 , EMH2801 , FW274 , FW282 , FW707 , FW811 , FW812 , IRFB4115 , FW906 , FW907 , J310 , MCH3374 , MCH3377 , MCH3383 , MCH3475 , MCH3477 .

History: IXFK32N50Q | IRF7204 | BUK455-100A | K3150 | 2N6793-SM | BUK454-800A | STP20N10

 

 
Back to Top

 


 
.