MMFT960 Todos los transistores

 

MMFT960 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMFT960
   Código: FT960
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.2 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO261AA
 

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MMFT960 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:122K  motorola
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MMFT960

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMFT960T1/DMMFT960T1Medium Power Field EffectMotorola Preferred DeviceTransistorNChannel EnhancementModeMEDIUM POWERSilicon Gate TMOSTMOS FETSOT223 for Surface Mount300 mA60 VOLTSThis TMOS medium power field effect transistor is designed forRDS(on) = 1.7 OHM MAXhigh speed, low loss power switchi

 0.2. Size:58K  onsemi
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MMFT960

MMFT960T1Preferred DevicePower MOSFET300 mA, 60 VoltsN-Channel SOT-223This Power MOSFET is designed for high speed, low loss powerhttp://onsemi.comswitching applications such as switching regulators, dc-dc converters,solenoid and relay drivers. The device is housed in the SOT-223300 mA, 60 VOLTSpackage which is designed for medium power surface mountRDS(on) = 1.7 Wapplic

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History: IRF9952

 

 
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