MMFT960 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MMFT960
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
Тип корпуса: TO261AA
MMFT960 Datasheet (PDF)
mmft960t1rev3x.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMFT960T1/DMMFT960T1Medium Power Field EffectMotorola Preferred DeviceTransistorNChannel EnhancementModeMEDIUM POWERSilicon Gate TMOSTMOS FETSOT223 for Surface Mount300 mA60 VOLTSThis TMOS medium power field effect transistor is designed forRDS(on) = 1.7 OHM MAXhigh speed, low loss power switchi
mmft960t1-d.pdf
MMFT960T1Preferred DevicePower MOSFET300 mA, 60 VoltsN-Channel SOT-223This Power MOSFET is designed for high speed, low loss powerhttp://onsemi.comswitching applications such as switching regulators, dc-dc converters,solenoid and relay drivers. The device is housed in the SOT-223300 mA, 60 VOLTSpackage which is designed for medium power surface mountRDS(on) = 1.7 Wapplic
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918