MMFT960 - описание и поиск аналогов

 

MMFT960. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMFT960

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: TO261AA

Аналог (замена) для MMFT960

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMFT960 даташит

 0.1. Size:122K  motorola
 mmft960t1rev3x.pdf pdf_icon

MMFT960

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMFT960T1/D MMFT960T1 Medium Power Field Effect Motorola Preferred Device Transistor N Channel Enhancement Mode MEDIUM POWER Silicon Gate TMOS TMOS FET SOT 223 for Surface Mount 300 mA 60 VOLTS This TMOS medium power field effect transistor is designed for RDS(on) = 1.7 OHM MAX high speed, low loss power switchi

 0.2. Size:58K  onsemi
 mmft960t1-d.pdf pdf_icon

MMFT960

MMFT960T1 Preferred Device Power MOSFET 300 mA, 60 Volts N-Channel SOT-223 This Power MOSFET is designed for high speed, low loss power http //onsemi.com switching applications such as switching regulators, dc-dc converters, solenoid and relay drivers. The device is housed in the SOT-223 300 mA, 60 VOLTS package which is designed for medium power surface mount RDS(on) = 1.7 W applic

Другие MOSFET... MMBF4392L , MMBF4393L , MMBFJ175L , MMBFJ177L , MMBFJ309L , MMBFJ310L , MMBFU310L , MMDF1N05E , AO3407 , MMSF3P02HD , MPF4393 , MTB2P50E , MTB50P03HDL , MTD5P06V , MTD6N15 , MTD6N20E , MTP20N15E .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.