Справочник MOSFET. MMFT960

 

MMFT960 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMFT960
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
   Тип корпуса: TO261AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MMFT960 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:122K  motorola
 mmft960t1rev3x.pdf pdf_icon

MMFT960

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMFT960T1/DMMFT960T1Medium Power Field EffectMotorola Preferred DeviceTransistorNChannel EnhancementModeMEDIUM POWERSilicon Gate TMOSTMOS FETSOT223 for Surface Mount300 mA60 VOLTSThis TMOS medium power field effect transistor is designed forRDS(on) = 1.7 OHM MAXhigh speed, low loss power switchi

 0.2. Size:58K  onsemi
 mmft960t1-d.pdf pdf_icon

MMFT960

MMFT960T1Preferred DevicePower MOSFET300 mA, 60 VoltsN-Channel SOT-223This Power MOSFET is designed for high speed, low loss powerhttp://onsemi.comswitching applications such as switching regulators, dc-dc converters,solenoid and relay drivers. The device is housed in the SOT-223300 mA, 60 VOLTSpackage which is designed for medium power surface mountRDS(on) = 1.7 Wapplic

Другие MOSFET... MMBF4392L , MMBF4393L , MMBFJ175L , MMBFJ177L , MMBFJ309L , MMBFJ310L , MMBFU310L , MMDF1N05E , IRFB31N20D , MMSF3P02HD , MPF4393 , MTB2P50E , MTB50P03HDL , MTD5P06V , MTD6N15 , MTD6N20E , MTP20N15E .

History: NCE3065G | MDQ16N50GTH | ELM5K8473A | BML6402 | PMN70XPEA | ZVN4306GVTA | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.