MTB2P50E Todos los transistores

 

MTB2P50E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTB2P50E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

 Búsqueda de reemplazo de MTB2P50E MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MTB2P50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:273K  motorola
 mtb2p50e.pdf pdf_icon

MTB2P50E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB2P50E/DDesigner's Data SheetMTB2P50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETPChannel EnhancementMode Silicon Gate 2.0 AMPERES500 VOLTSThe D2PAK package has the capability of housing a larger dieRDS(on) = 6.0 OHMthan any existing surface mou

 0.1. Size:85K  onsemi
 mtb2p50e-d mtb2p50et4g.pdf pdf_icon

MTB2P50E

MTB2P50EPreferred DevicePower MOSFET2 Amps, 500 VoltsP-Channel D2PAKThis high voltage MOSFET uses an advanced termination schemeto provide enhanced voltage-blocking capability without degradinghttp://onsemi.comperformance over time. In addition, this Power MOSFET is designedto withstand high energy in the avalanche and commutation modes.2 AMPERES, 500 VOLTSThe energy effic

Otros transistores... MMBFJ177L , MMBFJ309L , MMBFJ310L , MMBFU310L , MMDF1N05E , MMFT960 , MMSF3P02HD , MPF4393 , CS150N03A8 , MTB50P03HDL , MTD5P06V , MTD6N15 , MTD6N20E , MTP20N15E , MTP2P50E , MTP50P03HDL , MTW32N20E .

 

 
Back to Top

 


 
.