MTB2P50E - описание и поиск аналогов

 

MTB2P50E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTB2P50E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для MTB2P50E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB2P50E даташит

 ..1. Size:273K  motorola
 mtb2p50e.pdf pdf_icon

MTB2P50E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTB2P50E/D Designer's Data Sheet MTB2P50E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount TMOS POWER FET P Channel Enhancement Mode Silicon Gate 2.0 AMPERES 500 VOLTS The D2PAK package has the capability of housing a larger die RDS(on) = 6.0 OHM than any existing surface mou

 0.1. Size:85K  onsemi
 mtb2p50e-d mtb2p50et4g.pdf pdf_icon

MTB2P50E

MTB2P50E Preferred Device Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts P-Channel D2PAK This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading http //onsemi.com performance over time. In addition, this Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. 2 AMPERES, 500 VOLTS The energy effic

Другие MOSFET... MMBFJ177L , MMBFJ309L , MMBFJ310L , MMBFU310L , MMDF1N05E , MMFT960 , MMSF3P02HD , MPF4393 , IRF520 , MTB50P03HDL , MTD5P06V , MTD6N15 , MTD6N20E , MTP20N15E , MTP2P50E , MTP50P03HDL , MTW32N20E .

History: MMBFJ177L

 

 

 


 
↑ Back to Top
.