Справочник MOSFET. MTB2P50E

 

MTB2P50E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB2P50E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB2P50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:273K  motorola
 mtb2p50e.pdf pdf_icon

MTB2P50E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB2P50E/DDesigner's Data SheetMTB2P50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETPChannel EnhancementMode Silicon Gate 2.0 AMPERES500 VOLTSThe D2PAK package has the capability of housing a larger dieRDS(on) = 6.0 OHMthan any existing surface mou

 0.1. Size:85K  onsemi
 mtb2p50e-d mtb2p50et4g.pdf pdf_icon

MTB2P50E

MTB2P50EPreferred DevicePower MOSFET2 Amps, 500 VoltsP-Channel D2PAKThis high voltage MOSFET uses an advanced termination schemeto provide enhanced voltage-blocking capability without degradinghttp://onsemi.comperformance over time. In addition, this Power MOSFET is designedto withstand high energy in the avalanche and commutation modes.2 AMPERES, 500 VOLTSThe energy effic

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AO4916L | FDS4450 | H7N1005DS | SI1402DH | 2N4338 | NCE0205IA | SGSP481

 

 
Back to Top

 


 
.