NDD02N60Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDD02N60Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK IPAK
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NDD02N60Z Datasheet (PDF)
ndf02n60z ndp02n60z ndd02n60z.pdf
NDF02N60Z, NDP02N60Z, NDD02N60Z N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.8 W Features http //onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge ESD Diode-Protected Gate VDSS RDS(on) (MAX) @ 1 A 100% Avalanche Tested 600 V 4.8 W These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant N-Channel ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise noted) D (2
ndd02n40 ndt02n40.pdf
NDD02N40, NDT02N40 N-Channel Power MOSFET 400 V, 5.5 W Features 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 400 V 5.5 W @ 10 V Parameter Symbol NDD NDT Unit N-Channel MOSFET Drain-to-Source Voltage VDSS 400 V D (2) Gate-to-S
Otros transistores... NCV8401 , NCV8402 , NCV8402D , NCV8403 , NCV8405 , NCV8406 , NCV8440 , NCV8450 , IRF9640 , NDD03N50Z , NDD03N60Z , NDD04N50Z , NDD04N60Z , FDME910PZT , NDD05N50Z , NDF02N60Z , NDF03N60Z .
Liste
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