NDD02N60Z Todos los transistores

 

NDD02N60Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDD02N60Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK IPAK
 

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NDD02N60Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  onsemi
 ndf02n60z ndp02n60z ndd02n60z.pdf pdf_icon

NDD02N60Z

NDF02N60Z, NDP02N60Z,NDD02N60ZN-Channel Power MOSFET600 V, 4.8 WFeatureshttp://onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge ESD Diode-Protected GateVDSS RDS(on) (MAX) @ 1 A 100% Avalanche Tested600 V4.8 W These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantN-ChannelABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)D (2

 8.1. Size:98K  onsemi
 ndd02n40 ndt02n40.pdf pdf_icon

NDD02N60Z

NDD02N40, NDT02N40N-Channel Power MOSFET400 V, 5.5 WFeatures 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAXABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)400 V 5.5 W @ 10 VParameter Symbol NDD NDT UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Voltage VDSS 400 VD (2)Gate-to-S

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History: STU10L01

 

 
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