NDD02N60Z - описание и поиск аналогов

 

NDD02N60Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NDD02N60Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm

Тип корпуса: DPAK IPAK

Аналог (замена) для NDD02N60Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDD02N60Z даташит

 ..1. Size:143K  onsemi
 ndf02n60z ndp02n60z ndd02n60z.pdf pdf_icon

NDD02N60Z

NDF02N60Z, NDP02N60Z, NDD02N60Z N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.8 W Features http //onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge ESD Diode-Protected Gate VDSS RDS(on) (MAX) @ 1 A 100% Avalanche Tested 600 V 4.8 W These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant N-Channel ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise noted) D (2

 8.1. Size:98K  onsemi
 ndd02n40 ndt02n40.pdf pdf_icon

NDD02N60Z

NDD02N40, NDT02N40 N-Channel Power MOSFET 400 V, 5.5 W Features 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 400 V 5.5 W @ 10 V Parameter Symbol NDD NDT Unit N-Channel MOSFET Drain-to-Source Voltage VDSS 400 V D (2) Gate-to-S

Другие MOSFET... NCV8401 , NCV8402 , NCV8402D , NCV8403 , NCV8405 , NCV8406 , NCV8440 , NCV8450 , IRF9640 , NDD03N50Z , NDD03N60Z , NDD04N50Z , NDD04N60Z , FDME910PZT , NDD05N50Z , NDF02N60Z , NDF03N60Z .

History: BUZ41A | BUZ11A

 

 

 


 
↑ Back to Top
.