FDME910PZT Todos los transistores

 

FDME910PZT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDME910PZT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1.5 V

Carga de compuerta (Qg): 15 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.024 Ohm

Empaquetado / Estuche: UMLP1.6x1.6

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FDME910PZT Datasheet (PDF)

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February 2015FDME910PZTP-Channel PowerTrench MOSFET-20 V, -8 A, 24 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically for battery charging or load Max rDS(on) = 24 m at VGS = -4.5 V, ID = -8 Aswitching in cellular handset and other ultraportable applications. Max rDS(on) = 31 m at VGS = -2.5 V, ID = -7 AIt features a MOSFET with low on-state resistance

9.1. fdme905pt.pdf Size:229K _fairchild_semi

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October 2013FDME905PTP-Channel PowerTrench MOSFET -12 V, -8 A, 22 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically for battery charging or load Max rDS(on) = 22 m at VGS = -4.5 V, ID = -8 Aswitching in cellular handset and other ultraportable applications. Max rDS(on) = 26 m at VGS = -2.5 V, ID = -7.3 AIt features a MOSFET with low on-state resistance.

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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