FDME910PZT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDME910PZT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 2.1 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V
Corriente continua de drenaje (Id): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1.5 V
Carga de compuerta (Qg): 15 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.024 Ohm
Empaquetado / Estuche: UMLP1.6x1.6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDME910PZT
FDME910PZT Datasheet (PDF)
0.1. fdme910pzt.pdf 
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February 2015FDME910PZTP-Channel PowerTrench MOSFET-20 V, -8 A, 24 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically for battery charging or load Max rDS(on) = 24 m at VGS = -4.5 V, ID = -8 Aswitching in cellular handset and other ultraportable applications. Max rDS(on) = 31 m at VGS = -2.5 V, ID = -7 AIt features a MOSFET with low on-state resistance
9.1. fdme905pt.pdf Size:229K _fairchild_semi
October 2013FDME905PTP-Channel PowerTrench MOSFET -12 V, -8 A, 22 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically for battery charging or load Max rDS(on) = 22 m at VGS = -4.5 V, ID = -8 Aswitching in cellular handset and other ultraportable applications. Max rDS(on) = 26 m at VGS = -2.5 V, ID = -7.3 AIt features a MOSFET with low on-state resistance.
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