FDME910PZT Todos los transistores

 

FDME910PZT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDME910PZT
   Código: E91
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 236 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICROFET1.6X1.6
 

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FDME910PZT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  fairchild semi
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FDME910PZT

February 2015FDME910PZTP-Channel PowerTrench MOSFET-20 V, -8 A, 24 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically for battery charging or load Max rDS(on) = 24 m at VGS = -4.5 V, ID = -8 Aswitching in cellular handset and other ultraportable applications. Max rDS(on) = 31 m at VGS = -2.5 V, ID = -7 AIt features a MOSFET with low on-state resistance

 ..2. Size:425K  onsemi
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FDME910PZT

FDME910PZTP-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description-20 V, -8 A, 24 mThis device is designed specifically for battery charging or load switching in cellular handset and other ultraportable applications.FeaturesIt features a MOSFET with low on-state resistance and zener Max rDS(on) = 24 m at VGS = -4.5 V, ID = -8 Adiode protection against ESD. The MicroFET 1.6x1.6 T

 9.1. Size:229K  fairchild semi
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FDME910PZT

October 2013FDME905PTP-Channel PowerTrench MOSFET -12 V, -8 A, 22 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically for battery charging or load Max rDS(on) = 22 m at VGS = -4.5 V, ID = -8 Aswitching in cellular handset and other ultraportable applications. Max rDS(on) = 26 m at VGS = -2.5 V, ID = -7.3 AIt features a MOSFET with low on-state resistance.

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