NDD05N50Z Todos los transistores

 

NDD05N50Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDD05N50Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK IPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de NDD05N50Z MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NDD05N50Z datasheet

 ..1. Size:157K  onsemi
 ndf05n50z ndp05n50z ndd05n50z.pdf pdf_icon

NDD05N50Z

NDF05N50Z, NDP05N50Z, NDD05N50Z N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.25 W Features http //onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge 100% Avalanche Tested VDSS RDS(on) (TYP) @ 2.2 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 500 V 1.25 W ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise noted) Rating Symbol NDF NDP NDD Unit N-Channel D (2) Drain-to-Source

Otros transistores... NCV8440 , NCV8450 , NDD02N60Z , NDD03N50Z , NDD03N60Z , NDD04N50Z , NDD04N60Z , FDME910PZT , MMIS60R580P , NDF02N60Z , NDF03N60Z , NDF04N60Z , FDMA910PZ , NDF04N62Z , NDF05N50Z , NDF06N60Z , FDMC8327L .

 

 
Back to Top

 


 
.