NDD05N50Z Todos los transistores

 

NDD05N50Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NDD05N50Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 83 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 18.5 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.25 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK, IPAK

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NDD05N50Z Datasheet (PDF)

1.1. ndf05n50z ndp05n50z ndd05n50z.pdf Size:157K _onsemi

NDD05N50Z
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NDF05N50Z, NDP05N50Z, NDD05N50Z N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.25 W Features http://onsemi.com • Low ON Resistance • Low Gate Charge • 100% Avalanche Tested VDSS RDS(on) (TYP) @ 2.2 A • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 500 V 1.25 W ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise noted) Rating Symbol NDF NDP NDD Unit N-Channel D (2) Drain-to-Source

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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