Справочник MOSFET. NDD05N50Z

 

NDD05N50Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: NDD05N50Z

Маркировка: 5N50ZG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.7 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 18.5 nC

Время нарастания (tr): 15 ns

Выходная емкость (Cd): 68 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm

Тип корпуса: DPAK IPAK

Аналог (замена) для NDD05N50Z

 

 

NDD05N50Z Datasheet (PDF)

0.1. ndf05n50z ndp05n50z ndd05n50z.pdf Size:157K _onsemi

NDD05N50Z
NDD05N50Z

NDF05N50Z, NDP05N50Z,NDD05N50ZN-Channel Power MOSFET500 V, 1.25 WFeatureshttp://onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge 100% Avalanche TestedVDSS RDS(on) (TYP) @ 2.2 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant500 V1.25 WABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)Rating Symbol NDF NDP NDD UnitN-ChannelD (2)Drain-to-Source

Другие MOSFET... NCV8440 , NCV8450 , NDD02N60Z , NDD03N50Z , NDD03N60Z , NDD04N50Z , NDD04N60Z , FDME910PZT , IRF630A , NDF02N60Z , NDF03N60Z , NDF04N60Z , FDMA910PZ , NDF04N62Z , NDF05N50Z , NDF06N60Z , FDMC8327L .

 

 
Back to Top