Справочник MOSFET. NDD05N50Z

 

NDD05N50Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: NDD05N50Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.7 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 18.5 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.25 Ohm

Тип корпуса: DPAK, IPAK

Аналог (замена) для NDD05N50Z

 

 

NDD05N50Z Datasheet (PDF)

1.1. ndf05n50z ndp05n50z ndd05n50z.pdf Size:157K _onsemi

NDD05N50Z
NDD05N50Z

NDF05N50Z, NDP05N50Z, NDD05N50Z N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.25 W Features http://onsemi.com • Low ON Resistance • Low Gate Charge • 100% Avalanche Tested VDSS RDS(on) (TYP) @ 2.2 A • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 500 V 1.25 W ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise noted) Rating Symbol NDF NDP NDD Unit N-Channel D (2) Drain-to-Source

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top