NDD05N50Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDD05N50Z  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: DPAK IPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NDD05N50Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDD05N50Z даташит

 ..1. Size:157K  onsemi
 ndf05n50z ndp05n50z ndd05n50z.pdf pdf_icon

NDD05N50Z

NDF05N50Z, NDP05N50Z, NDD05N50Z N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.25 W Features http //onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge 100% Avalanche Tested VDSS RDS(on) (TYP) @ 2.2 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 500 V 1.25 W ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise noted) Rating Symbol NDF NDP NDD Unit N-Channel D (2) Drain-to-Source

Другие IGBT... NCV8440, NCV8450, NDD02N60Z, NDD03N50Z, NDD03N60Z, NDD04N50Z, NDD04N60Z, FDME910PZT, IRFB3206, NDF02N60Z, NDF03N60Z, NDF04N60Z, FDMA910PZ, NDF04N62Z, NDF05N50Z, NDF06N60Z, FDMC8327L