NDF02N60Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NDF02N60Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NDF02N60Z

NDF02N60Z Datasheet (PDF)

..1. Size:143K onsemi
ndf02n60z ndp02n60z ndd02n60z.pdf

NDF02N60Z, NDP02N60Z,NDD02N60ZN-Channel Power MOSFET600 V, 4.8 WFeatureshttp://onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge ESD Diode-Protected GateVDSS RDS(on) (MAX) @ 1 A 100% Avalanche Tested600 V4.8 W These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantN-ChannelABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)D (2

0.1. Size:786K cn vbsemi
ndf02n60zg.pdf

NDF02N60ZGwww.VBsemi.twPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 650AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 5RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 11RuggednessQgs (nC) 2.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 5.2 Compliant to RoHS

Otros transistores... NCV8450 , NDD02N60Z , NDD03N50Z , NDD03N60Z , NDD04N50Z , NDD04N60Z , FDME910PZT , NDD05N50Z , 5N65 , NDF03N60Z , NDF04N60Z , FDMA910PZ , NDF04N62Z , NDF05N50Z , NDF06N60Z , FDMC8327L , NDF06N62Z .

Liste

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