NDF02N60Z Todos los transistores

 

NDF02N60Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDF02N60Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP
 

 Búsqueda de reemplazo de NDF02N60Z MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NDF02N60Z datasheet

 ..1. Size:143K  onsemi
 ndf02n60z ndp02n60z ndd02n60z.pdf pdf_icon

NDF02N60Z

NDF02N60Z, NDP02N60Z, NDD02N60Z N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.8 W Features http //onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge ESD Diode-Protected Gate VDSS RDS(on) (MAX) @ 1 A 100% Avalanche Tested 600 V 4.8 W These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant N-Channel ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise noted) D (2

 0.1. Size:786K  cn vbsemi
 ndf02n60zg.pdf pdf_icon

NDF02N60Z

NDF02N60ZG www.VBsemi.tw Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 650 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 5 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 11 Ruggedness Qgs (nC) 2.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Qgd (nC) 5.2 Compliant to RoHS

Otros transistores... NCV8450 , NDD02N60Z , NDD03N50Z , NDD03N60Z , NDD04N50Z , NDD04N60Z , FDME910PZT , NDD05N50Z , AOD4184A , NDF03N60Z , NDF04N60Z , FDMA910PZ , NDF04N62Z , NDF05N50Z , NDF06N60Z , FDMC8327L , NDF06N62Z .

 

 
Back to Top

 


 
.