NDF02N60Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NDF02N60Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 23 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.4 A
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4 Ohm
Тип корпуса: TO220FP
NDF02N60Z Datasheet (PDF)
1.1. ndf02n60z ndp02n60z ndd02n60z.pdf 
Size:143K _onsemi
NDF02N60Z, NDP02N60Z, NDD02N60Z N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.8 W Features http://onsemi.com • Low ON Resistance • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate VDSS RDS(on) (MAX) @ 1 A • 100% Avalanche Tested 600 V 4.8 W • These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant N-Channel ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise noted) D (2
Другие MOSFET... NCV8450 , NDD02N60Z , NDD03N50Z , NDD03N60Z , NDD04N50Z , NDD04N60Z , FDME910PZT , NDD05N50Z , 2SK3562 , NDF03N60Z , NDF04N60Z , FDMA910PZ , NDF04N62Z , NDF05N50Z , NDF06N60Z , FDMC8327L , NDF06N62Z .
