NDF02N60Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDF02N60Z  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm

Тип корпуса: TO220FP

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NDF02N60Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDF02N60Z даташит

 ..1. Size:143K  onsemi
 ndf02n60z ndp02n60z ndd02n60z.pdf pdf_icon

NDF02N60Z

NDF02N60Z, NDP02N60Z, NDD02N60Z N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.8 W Features http //onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge ESD Diode-Protected Gate VDSS RDS(on) (MAX) @ 1 A 100% Avalanche Tested 600 V 4.8 W These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant N-Channel ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise noted) D (2

 0.1. Size:786K  cn vbsemi
 ndf02n60zg.pdf pdf_icon

NDF02N60Z

NDF02N60ZG www.VBsemi.tw Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 650 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 5 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 11 Ruggedness Qgs (nC) 2.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Qgd (nC) 5.2 Compliant to RoHS

Другие IGBT... NCV8450, NDD02N60Z, NDD03N50Z, NDD03N60Z, NDD04N50Z, NDD04N60Z, FDME910PZT, NDD05N50Z, 75N75, NDF03N60Z, NDF04N60Z, FDMA910PZ, NDF04N62Z, NDF05N50Z, NDF06N60Z, FDMC8327L, NDF06N62Z