NDF03N60Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDF03N60Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 12 nC
Tiempo de subida (tr): 8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 39 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FP
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NDF03N60Z Datasheet (PDF)
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ndf03n60z ndp03n60z ndd03n60z.pdf
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NDF03N60Z, NDP03N60Z,NDD03N60ZN-Channel Power MOSFET600 V, 3.3 WFeatureshttp://onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge 100% Avalanche TestedVDSS RDS(on) (TYP) @ 1.2 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant600 V3.3 WABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)Rating Symbol NDF NDP NDD UnitN-ChannelD (2)Drain-to-Source V
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