NDF03N60Z Todos los transistores

 

NDF03N60Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDF03N60Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 39 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP
 

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NDF03N60Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  onsemi
 ndf03n60z ndp03n60z ndd03n60z.pdf pdf_icon

NDF03N60Z

NDF03N60Z, NDP03N60Z,NDD03N60ZN-Channel Power MOSFET600 V, 3.3 WFeatureshttp://onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge 100% Avalanche TestedVDSS RDS(on) (TYP) @ 1.2 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant600 V3.3 WABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)Rating Symbol NDF NDP NDD UnitN-ChannelD (2)Drain-to-Source V

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History: FDC658P

 

 
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