NDF03N60Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDF03N60Z  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm

Тип корпуса: TO220FP

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NDF03N60Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDF03N60Z даташит

 ..1. Size:162K  onsemi
 ndf03n60z ndp03n60z ndd03n60z.pdf pdf_icon

NDF03N60Z

NDF03N60Z, NDP03N60Z, NDD03N60Z N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3 W Features http //onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge 100% Avalanche Tested VDSS RDS(on) (TYP) @ 1.2 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 600 V 3.3 W ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise noted) Rating Symbol NDF NDP NDD Unit N-Channel D (2) Drain-to-Source V

Другие IGBT... NDD02N60Z, NDD03N50Z, NDD03N60Z, NDD04N50Z, NDD04N60Z, FDME910PZT, NDD05N50Z, NDF02N60Z, IRF830, NDF04N60Z, FDMA910PZ, NDF04N62Z, NDF05N50Z, NDF06N60Z, FDMC8327L, NDF06N62Z, NDF08N50Z