NDF05N50Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDF05N50Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 28 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 18.5 nC
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 68 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FP
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NDF05N50Z Datasheet (PDF)
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ndf05n50z ndp05n50z ndd05n50z.pdf
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NDF05N50Z, NDP05N50Z,NDD05N50ZN-Channel Power MOSFET500 V, 1.25 WFeatureshttp://onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge 100% Avalanche TestedVDSS RDS(on) (TYP) @ 2.2 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant500 V1.25 WABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)Rating Symbol NDF NDP NDD UnitN-ChannelD (2)Drain-to-Source
Otros transistores... NDD04N60Z , FDME910PZT , NDD05N50Z , NDF02N60Z , NDF03N60Z , NDF04N60Z , FDMA910PZ , NDF04N62Z , IRF730 , NDF06N60Z , FDMC8327L , NDF06N62Z , NDF08N50Z , NDF08N60Z , NDF10N60Z , FDMS7678 , NDF10N62Z .
