NDF05N50Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NDF05N50Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A
Общий заряд затвора (Qg): 18.5 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.25 Ohm
Тип корпуса: TO220FP
NDF05N50Z Datasheet (PDF)
1.1. ndf05n50z ndp05n50z ndd05n50z.pdf 
Size:157K _onsemi
NDF05N50Z, NDP05N50Z, NDD05N50Z N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.25 W Features http://onsemi.com • Low ON Resistance • Low Gate Charge • 100% Avalanche Tested VDSS RDS(on) (TYP) @ 2.2 A • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 500 V 1.25 W ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise noted) Rating Symbol NDF NDP NDD Unit N-Channel D (2) Drain-to-Source
Другие MOSFET... NDD04N60Z , FDME910PZT , NDD05N50Z , NDF02N60Z , NDF03N60Z , NDF04N60Z , FDMA910PZ , NDF04N62Z , APT50M38JFLL , NDF06N60Z , FDMC8327L , NDF06N62Z , NDF08N50Z , NDF08N60Z , NDF10N60Z , FDMS7678 , NDF10N62Z .
