2N6768JAN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N6768JAN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO204
Búsqueda de reemplazo de 2N6768JAN MOSFET
2N6768JAN PDF Specs
2n6768 irf350.pdf
PD - 90339F IRF350 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6768 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6768 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/543] 400V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF350 400V 0.300 14A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique proces... See More ⇒
2n6764 2n6766 2n6768 2n6770.pdf
2N6764, JANTX2N6764, JANTXV2N6764 2N6768, JANTX2N6768, JANTXV2N6768 2N6766, JANTX2N6766, JANTXV2N6766 2N6770, JANTX2N6770, JANTXV2N6770 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-204 PACKAGE, QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/543 100V Thru 500V, Up to 38A, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power Transistor FEATURES Low RDS(on) Ease of Paralleling Qualified to MIL-PRF-19500/543 DESCRIPTION... See More ⇒
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP3N50K | AP3N50F | AP3912GD | AP3415E | AP3404S | AP3404 | AP3205 | AP3139 | AP3134N5 | AP3101A | AP3100A | AP30P06K | AP30P06 | AP30N04K | AP30N03K | AP30H80K
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