2N6768JAN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N6768JAN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO204

Аналог (замена) для 2N6768JAN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6768JAN даташит

 8.1. Size:140K  1
 2n6768.pdf pdf_icon

2N6768JAN

 8.2. Size:144K  international rectifier
 2n6768 irf350.pdf pdf_icon

2N6768JAN

PD - 90339F IRF350 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6768 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6768 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/543] 400V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF350 400V 0.300 14A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique proces

 8.3. Size:64K  omnirel
 2n6764 2n6766 2n6768 2n6770.pdf pdf_icon

2N6768JAN

2N6764, JANTX2N6764, JANTXV2N6764 2N6768, JANTX2N6768, JANTXV2N6768 2N6766, JANTX2N6766, JANTXV2N6766 2N6770, JANTX2N6770, JANTXV2N6770 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-204 PACKAGE, QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/543 100V Thru 500V, Up to 38A, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power Transistor FEATURES Low RDS(on) Ease of Paralleling Qualified to MIL-PRF-19500/543 DESCRIPTION

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2N6766, 2N6766JAN, 2N6766JANTX, 2N6766JANTXV, 2N6766JTX, 2N6766JTXV, 2N6767, 2N6768, 75N75, 2N6768JANTX, 2N6768JANTXV, 2N6768JTX, 2N6768JTXV, 2N6769, 2N6770, 2N6770JANTX, 2N6770JANTXV