NDF11N50Z Todos los transistores

 

NDF11N50Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDF11N50Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 166 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP
 

 Búsqueda de reemplazo de NDF11N50Z MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NDF11N50Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  onsemi
 ndf11n50z.pdf pdf_icon

NDF11N50Z

NDF11N50ZN-Channel Power MOSFET500 V, 0.52 WFeatures Low ON Resistance Low Gate Chargewww.onsemi.com ESD Diode-Protected Gate 100% Avalanche TestedVDSS RDS(ON) (MAX) @ 4.5 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS500 VCompliant 0.52 WABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)N-ChannelRating Symbol NDF UnitD (

Otros transistores... NDF06N60Z , FDMC8327L , NDF06N62Z , NDF08N50Z , NDF08N60Z , NDF10N60Z , FDMS7678 , NDF10N62Z , IRF640 , NIC9N05TS1 , NID6002N , NID9N05CL , NIF9N05CL , NIMD6001 , FDD4N60NZ , NTA4001N , NTA4151P .

History: FK10SM-9 | FQP8N80C | STH15N50 | FQP6N90C | IRL540NL | IRFU9014 | FRS140R

 

 
Back to Top

 


 
.