NDF11N50Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDF11N50Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 166 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
Encapsulados: TO220FP
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NDF11N50Z datasheet
ndf11n50z.pdf
NDF11N50Z N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.52 W Features Low ON Resistance Low Gate Charge www.onsemi.com ESD Diode-Protected Gate 100% Avalanche Tested VDSS RDS(ON) (MAX) @ 4.5 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 500 V Compliant 0.52 W ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise noted) N-Channel Rating Symbol NDF Unit D (
Otros transistores... NDF06N60Z , FDMC8327L , NDF06N62Z , NDF08N50Z , NDF08N60Z , NDF10N60Z , FDMS7678 , NDF10N62Z , IRFP460 , NIC9N05TS1 , NID6002N , NID9N05CL , NIF9N05CL , NIMD6001 , FDD4N60NZ , NTA4001N , NTA4151P .
History: NDF10N62Z | PSMN8R5-100PS | BUZ80AFI
History: NDF10N62Z | PSMN8R5-100PS | BUZ80AFI
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Liste
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