Справочник MOSFET. NDF11N50Z

 

NDF11N50Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDF11N50Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 46 nC
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NDF11N50Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  onsemi
 ndf11n50z.pdf pdf_icon

NDF11N50Z

NDF11N50ZN-Channel Power MOSFET500 V, 0.52 WFeatures Low ON Resistance Low Gate Chargewww.onsemi.com ESD Diode-Protected Gate 100% Avalanche TestedVDSS RDS(ON) (MAX) @ 4.5 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS500 VCompliant 0.52 WABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)N-ChannelRating Symbol NDF UnitD (

Другие MOSFET... NDF06N60Z , FDMC8327L , NDF06N62Z , NDF08N50Z , NDF08N60Z , NDF10N60Z , FDMS7678 , NDF10N62Z , IRFP460 , NIC9N05TS1 , NID6002N , NID9N05CL , NIF9N05CL , NIMD6001 , FDD4N60NZ , NTA4001N , NTA4151P .

 

 
Back to Top

 


 
.