NIC9N05TS1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NIC9N05TS1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 52 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
Paquete / Cubierta: NA
Búsqueda de reemplazo de NIC9N05TS1 MOSFET
NIC9N05TS1 datasheet
nic9n05ts1.pdf
NIC9N05TS1 Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N-Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection http //onsemi.com MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise specified) Rating Symbol Value Unit Drain (Pins 2, 4) Drain-to-Source Voltage Internally Clamped VDSS 52-59 V Gate-to-Source Voltage - Continuous VGS 15 V MPWR Operating and Storage Temperature Range TJ, Tstg -55 to ... See More ⇒
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Liste
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