NIC9N05TS1 Todos los transistores

 

NIC9N05TS1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NIC9N05TS1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 52 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: NA
 

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NIC9N05TS1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  onsemi
 nic9n05ts1.pdf pdf_icon

NIC9N05TS1

NIC9N05TS1Protected Power MOSFET2.6 A, 52 V, N-Channel, Logic Level,Clamped MOSFET w/ ESD Protectionhttp://onsemi.comMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise specified)Rating Symbol Value UnitDrain(Pins 2, 4)Drain-to-Source Voltage Internally Clamped VDSS 52-59 VGate-to-Source Voltage - Continuous VGS 15 VMPWROperating and Storage Temperature Range TJ, Tstg -55 to

Otros transistores... FDMC8327L , NDF06N62Z , NDF08N50Z , NDF08N60Z , NDF10N60Z , FDMS7678 , NDF10N62Z , NDF11N50Z , IRFZ44 , NID6002N , NID9N05CL , NIF9N05CL , NIMD6001 , FDD4N60NZ , NTA4001N , NTA4151P , NTA4153N .

History: IRFR214PBF | SSFD3004 | SRT04N016L | IPLU300N04S4-R8

 

 
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