NIC9N05TS1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NIC9N05TS1  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 52 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm

Encapsulados: NA

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NIC9N05TS1 datasheet

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NIC9N05TS1

NIC9N05TS1 Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N-Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection http //onsemi.com MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise specified) Rating Symbol Value Unit Drain (Pins 2, 4) Drain-to-Source Voltage Internally Clamped VDSS 52-59 V Gate-to-Source Voltage - Continuous VGS 15 V MPWR Operating and Storage Temperature Range TJ, Tstg -55 to

Otros transistores... FDMC8327L, NDF06N62Z, NDF08N50Z, NDF08N60Z, NDF10N60Z, FDMS7678, NDF10N62Z, NDF11N50Z, IRFB4110, NID6002N, NID9N05CL, NIF9N05CL, NIMD6001, FDD4N60NZ, NTA4001N, NTA4151P, NTA4153N