NIC9N05TS1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NIC9N05TS1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 52 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 15 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2.6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: NA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NIC9N05TS1

NIC9N05TS1 Datasheet (PDF)

..1. Size:116K onsemi
nic9n05ts1.pdf

NIC9N05TS1Protected Power MOSFET2.6 A, 52 V, N-Channel, Logic Level,Clamped MOSFET w/ ESD Protectionhttp://onsemi.comMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise specified)Rating Symbol Value UnitDrain(Pins 2, 4)Drain-to-Source Voltage Internally Clamped VDSS 52-59 VGate-to-Source Voltage - Continuous VGS 15 VMPWROperating and Storage Temperature Range TJ, Tstg -55 to

Otros transistores... FDMC8327L , NDF06N62Z , NDF08N50Z , NDF08N60Z , NDF10N60Z , FDMS7678 , NDF10N62Z , NDF11N50Z , IRFP460 , NID6002N , NID9N05CL , NIF9N05CL , NIMD6001 , FDD4N60NZ , NTA4001N , NTA4151P , NTA4153N .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: