NIC9N05TS1 - описание и поиск аналогов

 

NIC9N05TS1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NIC9N05TS1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 52 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: NA

Аналог (замена) для NIC9N05TS1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NIC9N05TS1 даташит

 ..1. Size:116K  onsemi
 nic9n05ts1.pdf pdf_icon

NIC9N05TS1

NIC9N05TS1 Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N-Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection http //onsemi.com MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise specified) Rating Symbol Value Unit Drain (Pins 2, 4) Drain-to-Source Voltage Internally Clamped VDSS 52-59 V Gate-to-Source Voltage - Continuous VGS 15 V MPWR Operating and Storage Temperature Range TJ, Tstg -55 to

Другие MOSFET... FDMC8327L , NDF06N62Z , NDF08N50Z , NDF08N60Z , NDF10N60Z , FDMS7678 , NDF10N62Z , NDF11N50Z , IRFZ44 , NID6002N , NID9N05CL , NIF9N05CL , NIMD6001 , FDD4N60NZ , NTA4001N , NTA4151P , NTA4153N .

History: NTA4153N | CS2302

 

 

 

 

↑ Back to Top
.