NIC9N05TS1 - аналоги и даташиты транзистора

 

NIC9N05TS1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NIC9N05TS1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 52 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: NA
 

 Аналог (замена) для NIC9N05TS1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NIC9N05TS1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  onsemi
 nic9n05ts1.pdf pdf_icon

NIC9N05TS1

NIC9N05TS1Protected Power MOSFET2.6 A, 52 V, N-Channel, Logic Level,Clamped MOSFET w/ ESD Protectionhttp://onsemi.comMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise specified)Rating Symbol Value UnitDrain(Pins 2, 4)Drain-to-Source Voltage Internally Clamped VDSS 52-59 VGate-to-Source Voltage - Continuous VGS 15 VMPWROperating and Storage Temperature Range TJ, Tstg -55 to

Другие MOSFET... FDMC8327L , NDF06N62Z , NDF08N50Z , NDF08N60Z , NDF10N60Z , FDMS7678 , NDF10N62Z , NDF11N50Z , IRF640 , NID6002N , NID9N05CL , NIF9N05CL , NIMD6001 , FDD4N60NZ , NTA4001N , NTA4151P , NTA4153N .

 

 
Back to Top

 


 
.