NID6002N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NID6002N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 14 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de NID6002N MOSFET
NID6002N Datasheet (PDF)
nid6002n.pdf

NID6002NPreferred DeviceSelf-Protected FETwith Temperature and Current Limit65 V, 6.5 A, Single N-Channel, DPAKhttp://onsemi.comHDPlus devices are an advanced series of power MOSFETsVDSS ID TYPwhich utilize ON Semiconductors latest MOSFET technology(Clamped) RDS(on) TYP (Limited)process to achieve the lowest possible on-resistance per silicon areawhile incorporatin
Otros transistores... NDF06N62Z , NDF08N50Z , NDF08N60Z , NDF10N60Z , FDMS7678 , NDF10N62Z , NDF11N50Z , NIC9N05TS1 , IRFZ44 , NID9N05CL , NIF9N05CL , NIMD6001 , FDD4N60NZ , NTA4001N , NTA4151P , NTA4153N , NTA7002N .



Liste
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