NID6002N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NID6002N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 70 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 14 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
Encapsulados: DPAK
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NID6002N datasheet
nid6002n.pdf
NID6002N Preferred Device Self-Protected FET with Temperature and Current Limit 65 V, 6.5 A, Single N-Channel, DPAK http //onsemi.com HDPlus devices are an advanced series of power MOSFETs VDSS ID TYP which utilize ON Semiconductor s latest MOSFET technology (Clamped) RDS(on) TYP (Limited) process to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area while incorporatin
Otros transistores... NDF06N62Z , NDF08N50Z , NDF08N60Z , NDF10N60Z , FDMS7678 , NDF10N62Z , NDF11N50Z , NIC9N05TS1 , IRF640 , NID9N05CL , NIF9N05CL , NIMD6001 , FDD4N60NZ , NTA4001N , NTA4151P , NTA4153N , NTA7002N .
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