NID6002N Todos los transistores

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NID6002N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NID6002N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 65 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 14 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.21 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

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NID6002N Datasheet (PDF)

1.1. nid6002n.pdf Size:68K _onsemi

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NID6002N Preferred Device Self-Protected FET with Temperature and Current Limit 65 V, 6.5 A, Single N-Channel, DPAK http://onsemi.com HDPlus™ devices are an advanced series of power MOSFETs VDSS ID TYP which utilize ON Semiconductor’s latest MOSFET technology (Clamped) RDS(on) TYP (Limited) process to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area while incorporatin

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