Справочник MOSFET. NID6002N

 

NID6002N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NID6002N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 14 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NID6002N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  onsemi
 nid6002n.pdf pdf_icon

NID6002N

NID6002NPreferred DeviceSelf-Protected FETwith Temperature and Current Limit65 V, 6.5 A, Single N-Channel, DPAKhttp://onsemi.comHDPlus devices are an advanced series of power MOSFETsVDSS ID TYPwhich utilize ON Semiconductors latest MOSFET technology(Clamped) RDS(on) TYP (Limited)process to achieve the lowest possible on-resistance per silicon areawhile incorporatin

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.