NID6002N - описание и поиск аналогов

 

NID6002N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NID6002N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 14 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NID6002N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NID6002N даташит

 ..1. Size:68K  onsemi
 nid6002n.pdf pdf_icon

NID6002N

NID6002N Preferred Device Self-Protected FET with Temperature and Current Limit 65 V, 6.5 A, Single N-Channel, DPAK http //onsemi.com HDPlus devices are an advanced series of power MOSFETs VDSS ID TYP which utilize ON Semiconductor s latest MOSFET technology (Clamped) RDS(on) TYP (Limited) process to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area while incorporatin

Другие MOSFET... NDF06N62Z , NDF08N50Z , NDF08N60Z , NDF10N60Z , FDMS7678 , NDF10N62Z , NDF11N50Z , NIC9N05TS1 , IRF640 , NID9N05CL , NIF9N05CL , NIMD6001 , FDD4N60NZ , NTA4001N , NTA4151P , NTA4153N , NTA7002N .

History: NTA4001N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.