Справочник MOSFET. NID6002N

 

NID6002N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NID6002N
   Маркировка: D6002N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 14 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для NID6002N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NID6002N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  onsemi
 nid6002n.pdf pdf_icon

NID6002N

NID6002NPreferred DeviceSelf-Protected FETwith Temperature and Current Limit65 V, 6.5 A, Single N-Channel, DPAKhttp://onsemi.comHDPlus devices are an advanced series of power MOSFETsVDSS ID TYPwhich utilize ON Semiconductors latest MOSFET technology(Clamped) RDS(on) TYP (Limited)process to achieve the lowest possible on-resistance per silicon areawhile incorporatin

Другие MOSFET... NDF06N62Z , NDF08N50Z , NDF08N60Z , NDF10N60Z , FDMS7678 , NDF10N62Z , NDF11N50Z , NIC9N05TS1 , IRFP460 , NID9N05CL , NIF9N05CL , NIMD6001 , FDD4N60NZ , NTA4001N , NTA4151P , NTA4153N , NTA7002N .

History: IRF7832Z | BRD2N65 | MDF11N65BTH

 

 
Back to Top

 


 
.