NID9N05CL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NID9N05CL
Código: D9N05CL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.74 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 52 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 15 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 4.5 nC
Tiempo de subida (tr): 500 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.181 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NID9N05CL
NID9N05CL Datasheet (PDF)
nid9n05cl.pdf
NID9N05CLPower MOSFET9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level,Clamped MOSFET w/ESD Protectionin a DPAK Packagehttp://onsemi.comBenefitsVDSS ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads(Clamped) RDS(ON) TYP (Limited) Low Switching Noise Generation52 V90 mW 9.0 AFeaturesDrain Diode Clamp Between Gate and Source(Pins 2, 4) ESD Protection - HBM 5000 V
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NID9N05CL, NID9N05ACLPower MOSFET9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level,Clamped MOSFET w/ESD Protectionin a DPAK Packagehttp://onsemi.comBenefitsVDSS ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads(Clamped) RDS(ON) TYP (Limited) Low Switching Noise Generation52 V90 mW 9.0 AFeaturesDrain Diode Clamp Between Gate and Source(Pins 2, 4) ESD Protection -
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NID9N05ACL, NID9N05BCLPower MOSFET9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level,Clamped MOSFET w/ESD Protectionin a DPAK Packagewww.onsemi.comBenefitsVDSS ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads(Clamped) RDS(ON) TYP (Limited) Low Switching Noise Generation52 V90 mW 9.0 AFeaturesDrain Diode Clamp Between Gate and Source(Pins 2, 4) ESD Protection - HB
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