NID9N05CL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NID9N05CL
Маркировка: D9N05CL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.74 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 52 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 500 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.181 Ohm
Тип корпуса: DPAK
NID9N05CL Datasheet (PDF)
nid9n05cl.pdf

NID9N05CLPower MOSFET9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level,Clamped MOSFET w/ESD Protectionin a DPAK Packagehttp://onsemi.comBenefitsVDSS ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads(Clamped) RDS(ON) TYP (Limited) Low Switching Noise Generation52 V90 mW 9.0 AFeaturesDrain Diode Clamp Between Gate and Source(Pins 2, 4) ESD Protection - HBM 5000 V
nid9n05clt4g.pdf

NID9N05CL, NID9N05ACLPower MOSFET9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level,Clamped MOSFET w/ESD Protectionin a DPAK Packagehttp://onsemi.comBenefitsVDSS ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads(Clamped) RDS(ON) TYP (Limited) Low Switching Noise Generation52 V90 mW 9.0 AFeaturesDrain Diode Clamp Between Gate and Source(Pins 2, 4) ESD Protection -
nid9n05acl nid9n05aclt4g.pdf

NID9N05CL, NID9N05ACLPower MOSFET9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level,Clamped MOSFET w/ESD Protectionin a DPAK Packagehttp://onsemi.comBenefitsVDSS ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads(Clamped) RDS(ON) TYP (Limited) Low Switching Noise Generation52 V90 mW 9.0 AFeaturesDrain Diode Clamp Between Gate and Source(Pins 2, 4) ESD Protection -
nid9n05acl nid9n05bcl.pdf

NID9N05ACL, NID9N05BCLPower MOSFET9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level,Clamped MOSFET w/ESD Protectionin a DPAK Packagewww.onsemi.comBenefitsVDSS ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads(Clamped) RDS(ON) TYP (Limited) Low Switching Noise Generation52 V90 mW 9.0 AFeaturesDrain Diode Clamp Between Gate and Source(Pins 2, 4) ESD Protection - HB
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: IXTH31N20MB
History: IXTH31N20MB



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DH060N07D | DH060N07B | DH060N03R | DH045N06I | DH045N06F | DH045N06E | DH045N06D | DH045N06B | DH045N06 | DH045N04P | DH045N04I | DH045N04F | DH045N04E | DH045N04D | DH045N04B | DH045N04
Popular searches
irfp260n | 2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet