NID9N05CL. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NID9N05CL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.74 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 52 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 500 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.181 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для NID9N05CL
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NID9N05CL даташит
nid9n05cl.pdf
NID9N05CL Power MOSFET 9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package http //onsemi.com Benefits VDSS ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads (Clamped) RDS(ON) TYP (Limited) Low Switching Noise Generation 52 V 90 mW 9.0 A Features Drain Diode Clamp Between Gate and Source (Pins 2, 4) ESD Protection - HBM 5000 V
nid9n05clt4g.pdf
NID9N05CL, NID9N05ACL Power MOSFET 9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package http //onsemi.com Benefits VDSS ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads (Clamped) RDS(ON) TYP (Limited) Low Switching Noise Generation 52 V 90 mW 9.0 A Features Drain Diode Clamp Between Gate and Source (Pins 2, 4) ESD Protection -
nid9n05acl nid9n05aclt4g.pdf
NID9N05CL, NID9N05ACL Power MOSFET 9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package http //onsemi.com Benefits VDSS ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads (Clamped) RDS(ON) TYP (Limited) Low Switching Noise Generation 52 V 90 mW 9.0 A Features Drain Diode Clamp Between Gate and Source (Pins 2, 4) ESD Protection -
nid9n05acl nid9n05bcl.pdf
NID9N05ACL, NID9N05BCL Power MOSFET 9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package www.onsemi.com Benefits VDSS ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads (Clamped) RDS(ON) TYP (Limited) Low Switching Noise Generation 52 V 90 mW 9.0 A Features Drain Diode Clamp Between Gate and Source (Pins 2, 4) ESD Protection - HB
Другие MOSFET... NDF08N50Z , NDF08N60Z , NDF10N60Z , FDMS7678 , NDF10N62Z , NDF11N50Z , NIC9N05TS1 , NID6002N , IRF1404 , NIF9N05CL , NIMD6001 , FDD4N60NZ , NTA4001N , NTA4151P , NTA4153N , NTA7002N , NTB25P06 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
irfp260n | 2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet




