NIF9N05CL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NIF9N05CL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.69 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 52 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1418 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de NIF9N05CL MOSFET
NIF9N05CL datasheet
nif9n05cl.pdf
NIF9N05CL www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.076 at VGS = 10 V 4.5 RoHS 10 nC COMPLIANT 60 APPLICATIONS 0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable Devices D SOT-223-3 D G S D G S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unles... See More ⇒
nif9n05cl-d.pdf
NIF9N05CL Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N-Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection in a SOT-223 Package http //onsemi.com Benefits VDSS RDS(ON) TYP ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads (Clamped) Low Switching Noise Generation 52 V 107 mW 2.6 A Features Diode Clamp Between Gate and Source Drain (Pins 2, 4) ESD Protection - HBM 500... See More ⇒
Otros transistores... NDF08N60Z , NDF10N60Z , FDMS7678 , NDF10N62Z , NDF11N50Z , NIC9N05TS1 , NID6002N , NID9N05CL , IRLZ44N , NIMD6001 , FDD4N60NZ , NTA4001N , NTA4151P , NTA4153N , NTA7002N , NTB25P06 , NTB35N15 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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