NIF9N05CL Todos los transistores

 

NIF9N05CL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NIF9N05CL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.69 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 52 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1418 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
     - Selección de transistores por parámetros

 

NIF9N05CL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1447K  cn vbsemi
 nif9n05cl.pdf pdf_icon

NIF9N05CL

NIF9N05CLwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 10 V 4.5RoHS10 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable DevicesDSOT-223-3D GSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unles

 0.1. Size:71K  onsemi
 nif9n05cl-d.pdf pdf_icon

NIF9N05CL

NIF9N05CLProtected Power MOSFET2.6 A, 52 V, N-Channel, Logic Level,Clamped MOSFET w/ ESD Protection in a SOT-223 Packagehttp://onsemi.comBenefitsVDSS RDS(ON) TYP ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads(Clamped) Low Switching Noise Generation52 V 107 mW 2.6 AFeatures Diode Clamp Between Gate and SourceDrain(Pins 2, 4) ESD Protection - HBM 500

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SVSP14N60TD2 | MEE7816AS-G | IXTU2N80P

 

 
Back to Top

 


 
.