NIF9N05CL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NIF9N05CL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.69 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 52 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1418 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm

Encapsulados: SOT223

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NIF9N05CL datasheet

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NIF9N05CL

NIF9N05CL www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.076 at VGS = 10 V 4.5 RoHS 10 nC COMPLIANT 60 APPLICATIONS 0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable Devices D SOT-223-3 D G S D G S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unles

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NIF9N05CL

NIF9N05CL Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N-Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection in a SOT-223 Package http //onsemi.com Benefits VDSS RDS(ON) TYP ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads (Clamped) Low Switching Noise Generation 52 V 107 mW 2.6 A Features Diode Clamp Between Gate and Source Drain (Pins 2, 4) ESD Protection - HBM 500

Otros transistores... NDF08N60Z, NDF10N60Z, FDMS7678, NDF10N62Z, NDF11N50Z, NIC9N05TS1, NID6002N, NID9N05CL, IRLZ44N, NIMD6001, FDD4N60NZ, NTA4001N, NTA4151P, NTA4153N, NTA7002N, NTB25P06, NTB35N15