NIF9N05CL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NIF9N05CL
Código: F9N05
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.69 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 52 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 15 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2.6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 4.5 nC
Tiempo de subida (tr): 1418 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.125 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NIF9N05CL
NIF9N05CL Datasheet (PDF)
nif9n05cl.pdf
NIF9N05CLwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 10 V 4.5RoHS10 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.085 at VGS = 4.5 V 3.5 Load Switches for Portable DevicesDSOT-223-3D GSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unles
nif9n05cl-d.pdf
NIF9N05CLProtected Power MOSFET2.6 A, 52 V, N-Channel, Logic Level,Clamped MOSFET w/ ESD Protection in a SOT-223 Packagehttp://onsemi.comBenefitsVDSS RDS(ON) TYP ID MAX High Energy Capability for Inductive Loads(Clamped) Low Switching Noise Generation52 V 107 mW 2.6 AFeatures Diode Clamp Between Gate and SourceDrain(Pins 2, 4) ESD Protection - HBM 500
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
